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  1. Scholars Hub of the Academia Sinica
  2. 數理科學組
  3. 應用科學研究中心
請用此 Handle URI 來引用此文件: http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/34491
題名: MBE Grown High k Gate Dielectrics of HfO2 and (Hf-Al)O2 for Si and III-V Semiconductors Nano-electronics
作者: Lee, W. G.
Lee, Y. J.
Wu, Y. D.
Chang, P.
Hsu, Y. L.
Chen, C. P.
Mannaerts, J. P.
Maikap, S.
Liu, C. W.
Lee, L. S.
Hsieh, W. Y.
Tsai, M. J.
Lin, S. Y.
Lo, R. L.
Hong, M.
Kwo, J.
公開日期: 2004
會議: MBE-Taiwan, 2004 (國立中山大學 : 國立中山大學)
URI: http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/34491
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