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  1. Scholars Hub of the Academia Sinica
  2. 數理科學組
  3. 應用科學研究中心
請用此 Handle URI 來引用此文件: http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/34709
題名: Utilizing Sub-5 nm Sidewall Electrode Technology for Atomic-Scale Resistive Memory Fabrication
作者: Kai-Shin Li
ChiaHua Ho
Ming-Taou Lee
Min-Cheng Chen
Cho-Lun Hsu
J. M. Lu
C. H. Lin
C. C. Chen
B. W. Wu
Y. F. Hou
C. Yi. Lin
Y. J. Chen
T. Y. Lai
M. Y. Li
I. Yang
C. S. Wu
Fu-Liang Yang
公開日期: 2014-06-09
會議: Symposium on VLSI Technology (HONOLULU, USA : IEEE)
URI: http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/34709
顯示於:應用科學研究中心

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