http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/34747| 題名: | TMD FinFET with 4 nm Thin Body and Back Gate Control for Future Low Power Technology | 作者: | Min-Cheng Chen Kai-Shin Li Lain-Jong Li Ang-Yu Lu Ming-Yang Li Yung-Huang Chang Chang-Hsien Lin Yi-Ju Chen Yun-Fang Hou Chun-Chi Chen Bo-Wei Wu Cheng-San Wu Ivy Yang Yao-Jen Lee Jia-Min Shieh Wen-Kuan Yeh Jyun-Hong Shih Po-Cheng Su Angada B. Sachid Tahui Wang Fu-Liang Yang Chenming Hu |
公開日期: | 2015-12-07 | 會議: | International Electron Devices Meeting (IEDM) (Washington, DC, USA : IEEE) | URI: | http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/34747 |
| 顯示於： | 應用科學研究中心 |
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