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  1. Scholars Hub of the Academia Sinica
  2. 數理科學組
  3. 原子與分子科學研究所
請用此 Handle URI 來引用此文件: http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/44311
題名: Band Gap Engineering of Chemical Vapor Deposited Graphene by in-situ BN Doping
作者: Chang, Cheng-Kai
Kataria, Satender
Kuo, Chun-Chiang
Ganguli, Abhijit
Wang, Bo-Yao
Hwang, Jeong-Yuan
Huang, Kay-Jay
Yang, Wei-Hsun
Wang, Sheng-Bo
Chuang, Cheng-Hao
Chen, Mi
Huang, Ching-I
Pong, Way-Faung
Song, Ker-Jar
Chang, Shoou-Jinn
Guo, Jinghua
Tai, Yian
Tsujimoto, Masahiko
Isoda, Seiji
Chen, Chun-Wei
Chen, Li-Chyong
Chen, Kuei-Hsien
公開日期: 2012-12-01
關聯: ACS Nano 7 (2),1333–1341
URI: http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/44311
ISSN: http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Drexel&SrcApp=hagerty_opac&KeyRecord=1936-0851&DestApp=JCR&RQ=IF_CAT_BOXPLOT
URL: http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn3049158
顯示於:原子與分子科學研究所

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