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  1. Scholars Hub of the Academia Sinica
  2. 數理科學組
  3. 原子與分子科學研究所
請用此 Handle URI 來引用此文件: http://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/44311
DC 欄位值語言
dc.contributor原子與分子科學研究所-
dc.contributor.authorChang, Cheng-Kai-
dc.contributor.authorKataria, Satender-
dc.contributor.authorKuo, Chun-Chiang-
dc.contributor.authorGanguli, Abhijit-
dc.contributor.authorWang, Bo-Yao-
dc.contributor.authorHwang, Jeong-Yuan-
dc.contributor.authorHuang, Kay-Jay-
dc.contributor.authorYang, Wei-Hsun-
dc.contributor.authorWang, Sheng-Bo-
dc.contributor.authorChuang, Cheng-Hao-
dc.contributor.authorChen, Mi-
dc.contributor.authorHuang, Ching-I-
dc.contributor.authorPong, Way-Faung-
dc.contributor.authorSong, Ker-Jar-
dc.contributor.authorChang, Shoou-Jinn-
dc.contributor.authorGuo, Jinghua-
dc.contributor.authorTai, Yian-
dc.contributor.authorTsujimoto, Masahiko-
dc.contributor.authorIsoda, Seiji-
dc.contributor.authorChen, Chun-Wei-
dc.contributor.authorChen, Li-Chyong-
dc.contributor.authorChen, Kuei-Hsien-
dc.date.accessioned2020-10-26T03:23:29Z-
dc.date.available2020-10-26T03:23:29Z-
dc.date.issued2012-12-01-
dc.identifier.issnhttp://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Drexel&SrcApp=hagerty_opac&KeyRecord=1936-0851&DestApp=JCR&RQ=IF_CAT_BOXPLOT-
dc.identifier.urihttp://ir.sinica.edu.tw/handle/201000000A/44311-
dc.description.sponsorship原子與分子科學研究所-
dc.language.isoen-
dc.relation.ispartofACS Nano 7 (2),1333–1341-
dc.titleBand Gap Engineering of Chemical Vapor Deposited Graphene by in-situ BN Doping-
dc.typejournal article-
dc.identifier.urlhttp://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn3049158-
dc.description.note已出版;[SCI];有審查制度;不具代表性-
item.grantfulltextnone-
item.languageiso639-1en-
item.fulltextno fulltext-
item.openairecristypehttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501-
item.cerifentitytypePublications-
item.openairetypejournal article-
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