| 1997 | Growth and characterization of InP/InGaAs p-quantum well infrared Photodetector with extremely thin quantum wells | Sengupta, D. K.; Jackson, S. L.; Curtis, A. P.; Fang, W.; Malin, J. I.; Horton, T. U.; Kuo, H. C.; Moy, A.; Miller, J.; Hsieh, K. C.; Cheng, K. Y.; Chen, H.; Adesida, I.; Chuang, S. L.; Feng, M.; Stillman, G. E.; Wu, W.; Tucker, J.; Chang, Y. C.; Li, L.; Liu, H. C. | JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 26, 1382 | | | |
| 1997 | Growth and characterization of n-type InP/InGaAs quantum well infrared photodetectors for response at 8.93 µm | Sengupta, D. K.; Jackson, S. L; Curtis, A. P.; Fang, W.; Malin, J. I.; Horton, T. U.; Hartman, Q.; Kuo, H. C.; Thomas, S.; Miller, J.; Hsieh, K. C.; Adesida, I.; Chuang, S. L.; Feng, M.; Stillman, G. E.; Chang, Y. C.; Wu , W.; Tucker, J.; Chen, H.; Gibson, J. M.; Mazumder, J.; Li, L.; Liu, H. C. | JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 26, 1376 | | | |
